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如今，光刻機(jī)一直限制著國(guó)產(chǎn)芯片的發(fā)展，為了突破限制，國(guó)家正在大力推進(jìn)光子芯片，其原理跟硅芯片不同，運(yùn)算速度可提升1000倍以上，而且不依賴先進(jìn)的光刻機(jī)，比如EUV光刻機(jī)，因此是各國(guó)爭(zhēng)相發(fā)展的新一代信息科技。

近日有消息稱，國(guó)內(nèi)首條“多材料、跨尺寸”的光子芯片生產(chǎn)線已在籌備，預(yù)計(jì)將于2023年在京建成，可滿足通信、數(shù)據(jù)中心、激光雷達(dá)、微波光子、醫(yī)療檢測(cè)等領(lǐng)域需求，有望填補(bǔ)我國(guó)在光子芯片晶圓代工領(lǐng)域的空白。

據(jù)悉，光子芯片是光電子器件的核心組成部分，與集成電路芯片相比存在多處不同。例如：從性能而言，光子芯片的計(jì)算速度較電子芯片快約1000倍，且功耗更低。

從材料而言，InP、GaAS等二代化合物半導(dǎo)體是光子芯片更為常用的材料，而集成電路一般采用硅片。從制備而言，光子芯片的制備流程與集成電路芯片存在一定相似性，但側(cè)重點(diǎn)在于外延設(shè)計(jì)與制備環(huán)節(jié)，而非光刻環(huán)節(jié)。

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