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8月3日消息，據報道，周二，韓國芯片制造商SK海力士宣布，它已開發出238層NAND閃存芯片。

該公司表示，這款芯片是最小的NAND閃存芯片，數據傳輸速度與上一代芯片相比提升50%，讀取數據消耗的能量降低21%，將用于PC存儲設備、智能手機和服務器，計劃在2023年上半年開始批量生產。

去年12月30日，SK海力士宣布完成收購英特爾NAND閃存及SSD業務的第一階段。在第一階段的交易中，英特爾向SK海力士出售SSD業務(包括轉讓NAND SSD相關的知識產權及員工)和大連的NAND閃存制造工廠，SK海力士則向英特爾支付70億美元。

這筆收購交易的第二階段預計將在2025年3月及之后進行，屆時SK海力士將向英特爾支付余下的20億美元。據悉，英特爾出售給SK海力士的相關資產交由后者新設立的子公司Solidigm管理。

由于全球經濟的不確定性正在抑制消費者對電子產品的購買力，SK海力士在7月下旬宣布，將無限期推遲投資33億美元新建存儲芯片工廠的擴張計劃。

據悉，SK海力士決定推遲擴建的工廠是該公司此前決定在清州園區建設的M17存儲芯片工廠，該工廠原本計劃于2023年晚些時候開工建設，預計最早于2025年完工。

外媒報道稱，該公司之所以決定推遲擴建計劃，可能是由于成本上升以及市場對芯片的需求放緩等問題。(小狐貍)

關鍵詞： 韓國芯片制造商 SK海力士宣布 已開發出238層NAND閃存芯片 明年上半年量產