充電器是采用高頻電源技術(shù),運用智能動態(tài)調(diào)整充電技術(shù)的充電設(shè)備。(充電器)充電機通過微機控制技術(shù),實現(xiàn)優(yōu)化的Wsa+Pulse充電特性曲線,充電電流隨蓄電池的充電電壓的升高而自動下降;結(jié)合充電末期的脈沖充電方式,使充電效果更為理想。
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(資料圖片)
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管。mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(簡稱mos管),它是利用絕緣柵極下的p型區(qū)與源漏之間的擴散電流和電場在垂直方向上的不同導(dǎo)電特性來工作的。
MOS管的source(源極)和drain(漏極)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。場效應(yīng)管分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。
MOS管特點是:
柵極電壓很低,一般在幾伏到幾十伏之間;源漏電阻很大,一般都在幾百千歐以上;電流極小或為0,所以稱為"零電阻",即對信號幾乎不產(chǎn)生任何影響;工作溫度范圍很寬,從-55°C至+150°C左右。放大倍數(shù)大、噪聲小、功耗低等優(yōu)良性能。推薦由工采網(wǎng)代理的一款來自臺灣美祿的MOS管,中高壓MOS管 - MPD04N65,不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率,需要考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度(如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素),基本原則就是:在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下,選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。
中高壓MOS管 -MPD04N65的特性:
650V, 4A, RDS (ON)(Max.)= 2.7Ω@VGS = 10V.
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原文標(biāo)題:應(yīng)用在充電器領(lǐng)域中的中高壓MOS管
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