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2022慕尼黑華南電子展（以下簡稱“慕尼黑展”或“展會”）于11月15日正式開展，展會已于17日圓滿閉幕。本屆慕尼黑展匯聚近千家國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)電子企業(yè)，涵蓋從產(chǎn)品設(shè)計到應用落地的上下游產(chǎn)業(yè)，展示了半導體、傳感器、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、汽車電子及測試等豐富內(nèi)容。

展出期間，OFweek維科網(wǎng)·電子工程直播采訪了成都蓉矽半導體有限公司（以下簡稱“蓉矽半導體”）總經(jīng)理戴茂州先生，他詳細為我們介紹了蓉矽半導體的核心優(yōu)勢、產(chǎn)品開發(fā)理念和技術(shù)亮點。

成都蓉矽半導體有限公司 （NOVUS SEMICONDUCTORS CO．， LTD．） 成立于2019年，是一家專注于碳化硅功率器件設(shè)計與開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。蓉矽半導體擁有一支掌握碳化硅核心技術(shù)的國際化團隊，整合了臺灣與歐洲的先進碳化硅制造工藝平臺，結(jié)合大陸封測和應用解決方案建立了完整的供應鏈，并根據(jù)不同的應用場景推出了高性價比的NovuSiC?系列產(chǎn)品和高可靠性的DuraSiC?系列產(chǎn)品。

【資料圖】

驚艷亮相慕尼黑電子展

蓉矽半導體向OFweek維科網(wǎng)·電子工程重點介紹了以下三款產(chǎn)品。

首先是1200V、20A NovuSiC? EJBS?碳化硅二極管。這款產(chǎn)品針對光伏應用場景設(shè)計，通過創(chuàng)新性器件結(jié)構(gòu)與工藝的完美結(jié)合賦予了JBS結(jié)構(gòu)器件可媲美MPS結(jié)構(gòu)的高抗浪涌電流能力（11倍以上），可承受288W功率，最大26A電流。

接下來是MCR?硅基理想二極管。這是蓉矽半導體從電子科技大學技術(shù)引進的專利技術(shù)，具有高抗浪涌電流能力（30倍）、高結(jié)溫性能穩(wěn)定（175℃）、低導通壓降（低至0．8V）和高擊穿電壓（高達300V）等優(yōu)越特性。

OFweek維科網(wǎng)·電子工程了解到，這可以說是一款沒有短板的二極管，特別適合需要低漏電、低損耗的應用。

最后是1200V／75mΩ NovuSiC? 碳化硅MOSFET，它的動態(tài)性能達到了國際水平，短路耐受時間＞3μs，V（GS）＝18V時，Ron，sp＝4．17mΩ．cm2，各項指標全國領(lǐng)先。據(jù)戴總介紹，蓉矽半導體即將在年底進行MOSFET G2的首次流片，可實現(xiàn)當今國際最先進的產(chǎn)品性能。

為華南市場提供全面的解決方案

OFweek維科網(wǎng)·電子工程向戴總了解到，華南地區(qū)是蓉矽半導體業(yè)務(wù)推廣的重點區(qū)域，公司在華南市場為光伏、儲能、充電樁、OBC等應用提供全面的解決方案。在500W便攜式儲能電源應用中，相較FRD，蓉矽MCR?器件可降低18．7％的損耗和13℃的器件結(jié)溫。在20kW直流充電模塊中，相較硅基器件，蓉矽NovuSiC?方案可減少器件數(shù)量50％；降低總損耗50％以上；提升效率約2％，峰值可達97％以上。

采訪中，戴總也談及自己下對華南電子行業(yè)趨勢和發(fā)展方向的看法。他表示，華南地區(qū)擁有國內(nèi)最大的半導體及集成電路應用市場，供應鏈保障能力和現(xiàn)代化水平位居國內(nèi)前列。蓉矽半導體擁有全供應鏈IATF 16949認證和極富經(jīng)驗的國際化團隊，在理想硅基二極管MCR、碳化硅二極管EJBS?和碳化硅MOSFET的研發(fā)過程中精益求精，產(chǎn)品各項性能指標一騎絕塵。蓉矽半導體將繼續(xù)以行業(yè)最高標準為基礎(chǔ)，為華南市場提供品質(zhì)過硬的產(chǎn)品，推動該地區(qū)電子行業(yè)可持續(xù)發(fā)展。

據(jù)悉，蓉矽半導體已經(jīng)設(shè)立了華南地區(qū)辦事處，正在籌備應用支持中心，以立足當?shù)厥袌鲅邪l(fā)針對性產(chǎn)品和方案，提供應用技術(shù)指導，為客戶提供“同等價位條件下性能最優(yōu)、同等性能條件下價格最優(yōu)”的“雙優(yōu)”服務(wù)。

戴總談此次慕尼黑展會感受

開展三天以來，蓉矽半導體展臺吸引了眾多硬科技從業(yè)者和產(chǎn)業(yè)界人士駐足觀看、詢問交流。

關(guān)鍵詞： 蓉矽碳化硅慕尼黑