150億美元！三星電子在韓國新半導體研發中心破土動工
8月19日消息，據報道，周五三星電子在韓國的一個新半導體研發中心(R&D)破土動工，計劃到2028年投資約20萬億韓元(150億美元)。
剛剛獲得赦免的三星電子副會長李在镕和高層管理人員出席了動工儀式。隨后他會見了芯片業務的員工，并單獨會見了高管，討論了如何確保獲得擴大半導體領導地位的技術。
據悉，這個位于首爾南部Giheung的新研發中心將領導下一代存儲和系統芯片設備和流程的先進研究，以及基于長期路線圖的新技術開發。
公司在一份聲明中表示：“三星電子正在尋求克服半導體規模的限制。”
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