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IGBT是由MOS管和三極管結合組成結合了兩者優點，具有高頻、高電壓、大電流、易于開關、低導通阻抗、不消耗驅動電流，非常適合大功率驅動場景；被業界譽為電力電子裝置的“CPU”和新能源“芯片”

【資料圖】

在新能源汽車中IGBT是應用極為廣泛的一種公里半導體元件，電動車之所以具備碾壓燃油車的加速體驗，和這枚“心臟”的作用不無關系。

新能源汽車是通過電池驅動電機來給汽車提供動力輸出的，所以存在交流市電給汽車電池充電和電池放電來驅動電機使汽車行駛的場景。這兩個過程都是需要通過使用IGBT設計的電路來實現。

IGBT約占電機驅動系統成本的一半，而電機驅動系統占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。

IGBT主要應用于電動汽車領域中以下幾個方面：

1、電動控制系統大功率直流／交流（DC／AC）逆變后驅動汽車電機。

2、車載空調控制系統小功率直流／交流（DC／AC）逆變，使用電流較小的IGBT和FRD。

3、充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關元件使用。

新能源汽車的生產需要用到的芯片可達到500-800個，有的甚至超過1000個不同類型的芯片；汽車的芯片種類主要包括主控芯MCU、存儲芯片、傳感器類器件、IGBT功率類芯片、其次是信號鏈類的通信芯片；IGBT可以說是電動車的的核心技術之一，IGBT的好壞直接影響電動車功率的釋放速度。

目前市面上出現的晶圓直徑主要是150mm、200mm、300mm，分別對應6英寸、8英寸、12英寸的晶圓；國產芯片在晶圓的產能上，也就是在6寸上有優勢；

全球10大8”晶圓廠約有40座,其中33座在亞洲(臺灣15座,中國8座)在2019-2021產能僅擴廠5%,仍不足以滿足后續電動車與工業控制市場,導致IGBT持續漲價。

在IGBT領域，臺灣茂矽電子目前已實現650V-6500V IGBT全電壓范圍覆蓋，并且自主設計、建造了全球首條6英寸高壓IGBT芯片專業生產線，攻克了高壓IGBT制造關鍵技術和成套工藝，是國內自主掌握高鐵動力IGBT芯片及模塊技術的企業，相關產品批量應用于軌道交通、輸配電、新能源汽車等多個高端裝備領域，市場優勢地位明顯。

茂矽電子成立于1987年，晶圓制造長期聚焦在功率半導體元件及電源管理IC領域，以MOS管、IGBT，模擬芯片、二極管等產品為主，并受到客戶的青睞；

茂矽電子推出三款1200V 6寸晶圓【40A】P81MV022NL0013P、【25A】P81MV020NL0011P、【15A】P81MV023NL0014P）采用FS工藝技術1200V壕溝和現場停止技術；低開關損耗；正溫度系數；簡單的平行技術晶圓片；

由工采網代理的茂矽1200VIGBT晶圓系列采用纖薄晶圓場截止溝道技術，可顯著降低開關及傳導損耗，從而在較高頻率下提升功率密度和效率。這些器件不僅為無需短路功能的應用進行了優化，如不間斷電源、太陽能逆變器、焊接等應用，而且為電機驅動應用提供10微秒短路功能，與其它IR產品相輔相成。

在IGBT晶圓應用領域，臺灣茂矽電子便是其中的佼佼者之一；臺灣茂矽IGBT產品已經逐步進入新能源汽車、充電樁、電池管理以及光伏逆變器等領域，并受到客戶青睞，擁有一整套完整的解決方案，歡迎聯系：19168597394（微信同號）

原文標題:IGBT在新能源汽車中的應用及地位

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